Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3008SFGQ-7

MOSFET N-CH 30V PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3008

DMN3008SFGQ-7 Hakkında

DMN3008SFGQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ile 17.6A sürekli drenaj akımı sağlar. PowerDI3333-8 paketinde sunulan bu bileşen, 4.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliği gösterir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir işlem yapar. 900mW maksimum güç tüketimi ile kompakt uygulamalarda kullanılan anahtarlama ve güç yönetim devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve yük kontrolü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.6A (Ta), 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3690 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok