Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN3008SFGQ-13

MOSFET N-CH 30V PWRDI3333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMN3008SFGQ

DMN3008SFGQ-13 Hakkında

DMN3008SFGQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 62A kadar sürekli dren akımı sunabilir. PowerDI3333-8 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, düşük Rds On değeri (4.4mOhm @ 10V, 13.5A) sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışan DMN3008SFGQ, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç disipasyonu ve hızlı anahtarlama özellikleriyle verimli devre tasarımları için tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.6A (Ta), 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3690 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok