Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN2991UFZ-7B

MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN

Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
DMN2991UFZ

DMN2991UFZ-7B Hakkında

DMN2991UFZ-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj rating'i ve 550mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 3-XFDFN yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 990mOhm maksimum on-state direnci ile enerji verimliliği sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, özellikle mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. 21.5pF input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 550mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350 pF @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21.5 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 530mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Supplier Device Package X2-DFN0606-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok