Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2990UFZ-7B
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2990UFZ
DMN2990UFZ-7B Hakkında
DMN2990UFZ-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate geriliminde 990mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 3-XFDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 320mW güç harcaması ile enerji tasarruflu tasarımlar için uygundur. Mobil cihazlar, sensör kontrol devreleri, LED sürücüleri ve düşük gerilim DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda sıkça tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 55.2 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 320mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN0606-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok