Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2990UFO-7B
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2990UFO
DMN2990UFO-7B Hakkında
DMN2990UFO-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim, 750mA sürekli dren akımı ve 990mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 3-XFDFN (X2-DFN0604-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük sinyal geç zamanları ve düşük kapasitans değerleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve yazılım kontrollü anahtarlamada tercih edilir. 840mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile tasarım esnekliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.41 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 31 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 840mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN0604-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok