Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2990UFB-7B
MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2990UFB
DMN2990UFB-7B Hakkında
DMN2990UFB-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ile 780mA sürekli dren akımı sağlayabilir. 3-UFDFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate sürüş voltajında maksimum 990mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Düşük gate charge (0.41nC) ve düşük giriş kapasitansı (31pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama devrelerinde, basit DC-DC dönüştürücülerde ve genel amaçlı kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 780mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.41 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 31 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok