Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN26D0UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN26D0UFB4
DMN26D0UFB4-7 Hakkında
DMN26D0UFB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 230mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Surface mount 3-XFDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Mobil cihazlar, IoT uygulamaları, güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması devrelerinde kullanım alanı bulur. 350mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14.1 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok