Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2600UFB-7
MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2600UFB
DMN2600UFB-7 Hakkında
DMN2600UFB-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajı ve 1.3A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kanal direnci sağlar. 3-UFDFN (X1-DFN1006-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 0.85nC gate charge ve 70.13pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Tüketici elektroniği, batarya yönetim sistemleri, anahtarlama güç kaynakları ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.85 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70.13 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 540mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok