Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2501UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2501U
DMN2501UFB4-7 Hakkında
DMN2501UFB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 1A sürekli drenaj akımı sağlayarak düşük güç uygulamalarında kullanılır. 400mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunmaktadır. X2-DFN1006-3 SMD paketindeki bu transistör, GPIO kontrolü, anahtarlama devreleri, yük kontrolü ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ile güvenilir operasyon sağlar. 2nC gate charge ve 82pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok