Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2500UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2500UFB4
DMN2500UFB4-7 Hakkında
DMN2500UFB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak voltajı ve 810mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 400mΩ maksimum on-state direnci (RdsOn) 4.5V gate voltajında 600mA akımda ölçülmüştür. 3-XFDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen DMN2500UFB4-7, maksimum 460mW güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır. 1V kapı eşik voltajında (250µA'de) açılır. 60.67pF giriş kapasitansi ve 0.74nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Mobil cihazlar, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 810mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 460mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok