Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN24H11DSQ-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN24H11DSQ
DMN24H11DSQ-7 Hakkında
DMN24H11DSQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 240V drain-source gerilimi ve 270mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal kontrolü uygulamalarında tercih edilir. 10V gate geriliminde 11Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 76.8 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok