Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN24H11DSQ-13

MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN24H11DSQ

DMN24H11DSQ-13 Hakkında

DMN24H11DSQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 240V Drain-Source gerilim ve 270mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 11Ω maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, düşük güçlü aydınlatma kontrolü, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 750mW maksimum güç yayılması ve düşük kapı yükü (3.7nC) ile verimli devre tasarımına imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 270mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 76.8 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok