Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2450UFB4
DMN2450UFB4-7R Hakkında
DMN2450UFB4-7R, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ile 1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 400mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlayarak verimli anahtarlama performansı sunar. 3-XFDFN paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında, maksimum 500mW güç tüketimi ile çalışır. Gate şarjı 1.3nC ve 56pF giriş kapasitansı ile hızlı komutasyon sağlar. Düşük voltaj uygulamalarında, motor kontrol devreleri, anahtarlama regulatörleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 56 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok