Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2450UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2450UFB4
DMN2450UFB4-7B Hakkında
DMN2450UFB4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source geriliminde 1A sürekli dren akımını destekler. X2-DFN1006-3 yüksek yoğunluk paketlemesi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 400mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle mikrocontroller sürücü uygulamaları, analog anahtarlama ve küçük güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük gate charge değeri (1.3nC@10V) sayesinde verimli devre tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 56 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok