Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2400UFDQ-13
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2400
DMN2400UFDQ-13 Hakkında
DMN2400UFDQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 600mOhm RDS(on) değeri ile verimliliği iyidir. 3-PowerUDFN (U-DFN1212-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, power management, IoT uygulamaları ve düşük voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 37 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerUDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN1212-3 (Type C) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok