Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN2400UFD-7

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

Paket/Kılıf
3-UDFN
Seri / Aile Numarası
DMN2400UFD

DMN2400UFD-7 Hakkında

DMN2400UFD-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 900mA sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate geriliminde 600mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 3-UDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 400mW maksimum güç tüketim özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500 pF @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 37 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-UDFN
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package X1-DFN1212-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok