Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2400UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2400UFB4
DMN2400UFB4-7 Hakkında
DMN2400UFB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 750mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 550mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği artırırken, minimal gate charge (0.5nC) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Surface mount 3-XFDFN paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Mobil cihazlar, IoT uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve load switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlara uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 470mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok