Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2320UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2320UFB4
DMN2320UFB4-7B Hakkında
DMN2320UFB4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 320mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount X2-DFN1006-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (0.89nC) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. Mobil cihazlar, taşınabilir elektronik ürünler, şarj devrelerine ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 71 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok