Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2300UFB-7B
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2300UFB
DMN2300UFB-7B Hakkında
DMN2300UFB-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ile 1.32A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3-UFDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 175mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 0.89nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Mobil cihazlar, AC/DC dönüştürücüler, IoT uygulamaları ve hafif yük kontrolü gerektiren anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.32A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 67.62 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 468mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok