Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2230UQ
DMN2230UQ-7 Hakkında
DMN2230UQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltaj desteği ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 110mOhm maksimum On-resistance değeri ile verimli güç transferi sağlar. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Mobil cihazlar, şarj devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. 600mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile hafif yük uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 188 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok