Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN21D2UFB-7B
MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN21D2UFB
DMN21D2UFB-7B Hakkında
DMN21D2UFB-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss), 760mA sürekli dren akımı ve 990mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 3-UFDFN yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlar için idealdir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve çeşitli IoT cihazlarında kullanılır. Düşük ön yükü (Qg: 0.93nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 760mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27.6 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 380mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 100mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok