Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2080UCB4-7
MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 4-XFBGA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2080UCB4
DMN2080UCB4-7 Hakkında
DMN2080UCB4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim desteği ile 3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 56mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçış kaybı sağlar. 4.5V gate geriliminde 7.4nC gate yükü ve 540pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bileşen, kompakt X2-WLB0606-4 (4-XFBGA) surface mount pakette sunulur. DC/DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç anahtarları ve IoT uygulamalarında kullanılan bu MOSFET, düşük güç tüketimi gerektiren tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-XFBGA, WLBGA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 710mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-WLB0606-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok