Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN2075U-7

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN2075U

DMN2075U-7 Hakkında

DMN2075U-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 38mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında 800mW güç dağıtabilir. Düşük gate charge (7nC) ve input capacitance (594.3pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynağı kontrolü, load switching, motor kontrolü ve genel dijital devrelerde anahtarlama elemanı olarak kullanılır. ±8V maksimum gate-source gerilimi ile korumalı tasarımı vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 594.3 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok