Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2050LQ-7
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2050LQ
DMN2050LQ-7 Hakkında
DMN2050LQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 5.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 29mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç aktarımı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. PWM kontrol, motor sürücüsü, güç yönetimi ve analog anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 532 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok