Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2026UVT-13
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2026UVT
DMN2026UVT-13 Hakkında
DMN2026UVT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 24mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.4 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 887 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.15W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok