Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2020LSN-7
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2020LSN
DMN2020LSN-7 Hakkında
DMN2020LSN-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 6.9A sürekli dren akımı ile çalışmaktadır. 20mΩ maksimum on-direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. SC-59-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve sinyal kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 4.5V gate sürü gerilimiyle uyumlu kontrol devreleriyle entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1149 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 610mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-59-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok