Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2013UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2013UFDE
DMN2013UFDE-7 Hakkında
DMN2013UFDE-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 11mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. 6-pin PowerUDFN paket tipinde sunulan bileşen, mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, DC/DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.8 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2453 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok