Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2011UTS-13
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2011UTS
DMN2011UTS-13 Hakkında
DMN2011UTS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 11mΩ tipik on-state direnci (RdsOn) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate şarj kapasitesi 56nC ve giriş kapasitansi 2248pF değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Mobil cihazlarda, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve diğer güç yönetimi devreleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2248 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok