Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2011UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2011
DMN2011UFDE-7 Hakkında
DMN2011UFDE-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 11.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç kayıplarında anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 9.5mOhm RDS(on) değeri (4.5V gate geriliminde) verimli güç yönetimi sağlar. 6-PowerUDFN kompakt yüzey monte paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılır. Motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, batarya yönetim sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2248 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 610mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok