Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2009LSS-13
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2009LSS
DMN2009LSS-13 Hakkında
DMN2009LSS-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim, 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8mOhm (10V, 12A'de) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlı güç kaynakları ve yük yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2555 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok