Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN2005UFG-13
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN2005UFG
DMN2005UFG-13 Hakkında
DMN2005UFG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 18.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.6mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount PowerDI3333-8 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma aralığına sahip olup, 1.05W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 164 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6495 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.05W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok