Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN15H310SK3-13
MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN15H310SK3
DMN15H310SK3-13 Hakkında
DMN15H310SK3-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim (Vdss) ve 8.3A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 310mΩ olup, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Gate charge değeri 8.7nC ve input kapasitesi 405pF'dir. -55°C ile 155°C arasında çalışır ve maksimum 32W güç tüketimi desteği sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bir transistördür. ±20V gate-source gerilimi tolerans aralığına ve 3V threshold gerilimi (Vgs(th)) değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok