Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN13H750S-7
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN13H750S
DMN13H750S-7 Hakkında
DMN13H750S-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 130V drain-source gerilim dayanımı ve 1A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23 yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyarlanabilir. Maksimum 750mΩ on-resistance (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 5.6nC olarak düşüktür. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç dissipasyonu maksimum 770mW'tır. Göreceli düşük threshold gerilimi (4V) ile hızlı açılıp kapanma özelliğine sahiptir. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, solenoid kontrol ve benzer uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 130 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 231 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 770mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok