Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN13H750S-13

MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN13H750S

DMN13H750S-13 Hakkında

DMN13H750S-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 130V drain-source gerilim ve 1A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 750mOhm (10V, 2A) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23 surface mount paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 130 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 770mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok