Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1260UFA-7B
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1260UFA
DMN1260UFA-7B Hakkında
DMN1260UFA-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 500mA sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 4.5V gate voltajında 366mOhm (maksimum) RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 3-XFDFN yüzey montaj paketinde sunulan DMN1260UFA-7B, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED kontrolü ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 360mW maksimum güç tüketimiyle kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.96 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 366mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | X2-DFN0806-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok