Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN1150UFB-7B
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN1150UFB
DMN1150UFB-7B Hakkında
DMN1150UFB-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajı ve 1.41A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 150mΩ maksimum RDS(on) değeri (4.5V gate voltajında, 1A dren akımında) ile verimli iletim sağlar. 3-UFDFN yüzey monte paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.5nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve düşük voltaj dijital uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 500mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.41A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 106 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok