Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H700S-7
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H700S
DMN10H700S-7 Hakkında
DMN10H700S-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 100V dren-kaynak gerilimi ve 700mA sürekli dren akımına sahip bu transistör, düşük sinyal seviyesinde (6V/10V) çalıştırılabilir. 700mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. SOT-23-3 paketinde sağlanan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. 4.6nC gate charge ve 235pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, küçük sinyal amplifikasyonu, güç yönetimi ve elektrik enerjisi dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok