Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN10H700S-13

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN10H700S

DMN10H700S-13 Hakkında

DMN10H700S-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 700mA sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23 yüzey montajlı paket türünde sunulur. Düşük on-resistance karakteristiği (700mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli şekilde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) kararlı performans gösterir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 4.6nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Feature Standard
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok