Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H220LVT-7
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H220LVT
DMN10H220LVT-7 Hakkında
DMN10H220LVT-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.87A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (220mΩ @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, yük anahtarlaması ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 8.3nC gate charge ve 401pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.87A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 401 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.67W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok