Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H220LQ-13
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H220LQ
DMN10H220LQ-13 Hakkında
DMN10H220LQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında anahtar ve yükseltici devreler için tasarlanmıştır. 220mΩ on-resistance değeri (Rds(on) @ 10V) ile verimli komütasyon sağlar. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1.3W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Mobil cihazlar, elektrik araç şarj sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 401 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok