Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H220LE-13
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H220LE
DMN10H220LE-13 Hakkında
DMN10H220LE-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 2.3A maksimum drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-223 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (220mΩ @ 10V) özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında ve düşük güç kaybı gerektiren devreler için tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Led sürücüleri, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama devreleri başta olmak üzere geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 401 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok