Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

DMN10H220L-7

MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DMN10H220L

DMN10H220L-7 Hakkında

DMN10H220L-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 1.4A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük Ron değeri (220mOhm @ 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. SOT-23-3 paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyum sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve genel amaçlı dijital anahtarlama devreleri başta olmak üzere geniş endüstri uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralığı gerektiren ortamlar için uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 401 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok