Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SV
DMN10H170SVTQ-7 Hakkında
DMN10H170SVTQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 2.6A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 160mΩ maksimum on-direnci, düşük kaynaklanmış ısı ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulur. Anahtarlama devreleri, LED sürücüleri, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok