Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SVTQ-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SV
DMN10H170SVTQ-13 Hakkında
DMN10H170SVTQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve portable elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate drive voltajında çalışır ve 9.7nC gate charge değerine sahiptir. Düşük güç tüketimi ve kompakt yapısı sayesinde yoğun entegre devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok