Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SVT-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SVT
DMN10H170SVT-13 Hakkında
DMN10H170SVT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.6A sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 SMD paketinde sunulan bu FET, 10V gate geriliminde 160mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında 1.2W güç tüketimine kadir. Gate eşik gerilimi 3V'dir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç kaynakları ve genel amaçlı dijital kontrol devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok