Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SK3Q-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SK3Q
DMN10H170SK3Q-13 Hakkında
DMN10H170SK3Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 140mOhm maksimum gate-source direnci ile düşük konmutasyon kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüler, anahtar devreler ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 10V gate geriliminde 9.7nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok