Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SFG
DMN10H170SFG-7 Hakkında
DMN10H170SFG-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.9A (Ta) ve 8.5A (Tc) sürekli drain akımı, 122mOhm maximum on-resistance (Rds On) değerleri ile güç yönetimi devrelerinde verimli çalışma sağlar. PowerDI3333-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konverterleri, motor sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870.7 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 940mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok