Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SFG-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SFG
DMN10H170SFG-13 Hakkında
DMN10H170SFG-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışabilen bu bileşen, 2.9A sürekli dren akımı (Ta@25°C) ve maksimum 122mOhm (10V, 3.3A) on-direnci değerlerine sahiptir. PowerDI3333-8 SMD paketine entegre edilen komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate şarjı 14.9nC ve 870.7pF giriş kapasitansı (25V) ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Power dissipation değeri maksimum 940mW (Ta) olup, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870.7 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 940mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok