Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SFDE
DMN10H170SFDE-7 Hakkında
DMN10H170SFDE-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 160mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 6-PowerUDFN pakete sahip olup kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok