Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- DMN10H170SFDE
DMN10H170SFDE-13 Hakkında
DMN10H170SFDE-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 6-PowerUDFN yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponentin maksimum drain açık direnci (RDS On) 160mOhm @ 5A, 10V'dir. Gate charge değeri 9.7nC @ 10V olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme yeteneğine sahip olan DMN10H170SFDE-13, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maximum power dissipation 660mW'dir. Aktif durumdaki bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1167 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok